檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "莊敏宏".ccommittee (精準) and year="96"
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於polished單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。所製作pn二極體之ideal factor為1.52。以此方式製作太陽電池，雖不具抗反…
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矽光電將成為下世代的光電、通訊及電子產業帶來革新。這個新技術因能提供與現有的互補金屬氧化半導體製程相容的優勢，許多的團隊對此研究感到關切。近幾年來的進展將使得商用化的矽光電應用產品於不久的將來出現。…
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本論文主要描述四個不同型式的壓控振盪器與頻率除頻器，其分別為“新型Hartley低相位雜訊壓控震盪器”、“新型Hartley注入鎖定除頻器”、 “CMOS Top-Series四相位輸出注入鎖定除頻…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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成功的利用濺鍍法，配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式，製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上，所製作的TFT On/Off電流比為103，Mobility為10 cm2/V-S， Threshold vo…
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此論文提出了三個直接注入鎖定除頻器，第一個是一個低電壓直接注入鎖定除三除頻器，第二是一個低電壓直接注入鎖定除二除頻器，最後是一個低電壓四相位直接注入鎖定除二除頻器，前者使用了標準台積電0.35微米製…
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本篇論文為了研究超寬頻系統前端接收器之低雜訊放大器積體電路在3.1GHz到10.6GHz的應用，以標準 0.18μm CMOS 製程設計。 在設計的第一顆低雜訊放大器晶片，此低雜訊放大器包含了一級疊…
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這論文的第四章提出一個具有除二、除四的注入鎖定除頻器(ILFD)，此ILFD是由3.5GHZ的四相位電壓控制振盪器和用作注入訊號的兩個NMOS所組成。而製作上是採用TSMC 0.18-um CMOS…
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此論文提出了二個壓控振盪器和二個注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.18微米和0.35微米CMOS製程去實現。 第三章提出一個新型CMOS注入鎖定除頻器，採用0.35-µm CM…
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中，主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作，寬的操…